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  • MBQ40T65FDSC IGBT 650V 40A, boîtier TO-247

    MBQ40T65FDSC IGBT 650V 40A, boîtier TO-247

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    IGBT haute tension de 650V avec diode de roue libre intégrée, conçu pour une commutation rapide et de faibles pertes de puissance dans les applications PFC, onduleurs et soudeuses.

  • Transistor MOSFET Canal N MDF18N50

    Transistor MOSFET Canal N MDF18N50

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    Transistor MOSFET canal N de puissance, technologie avancée Magnachip, tension de drain-source de 500 V, courant de drain continu de 18 A et résistance on-state typique de 0.22 Ω.