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  • FGH40T65SHD Transistor IGBT 650 V, 40 A

    FGH40T65SHD Transistor IGBT 650 V, 40 A

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    IGBT de troisième génération utilisant la technologie Field Stop Trench, conçu pour des applications nécessitant de faibles pertes en conduction et en commutation.

  • IGBT Ultrafast SGH80N60UFD 600V 80A en boîtier TO-3P

    IGBT Ultrafast SGH80N60UFD 600V 80A en boîtier TO-3P

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    Le SGH80N60UFD est un transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) conçu pour la commutation rapide, avec une tension collecteur-émetteur de 600 V et un courant de collecteur de 80 A. Il intègre une diode de roue libre et est destiné aux applications de contrôle de moteur et d’onduleurs.