Transistor MOSFET Canal N MDF18N50

Présentation

Le MDF18N50 est un transistor MOSFET à canal N de technologie avancée, offrant une faible résistance à l’état passant et de bonnes performances de commutation. Il est adapté pour les alimentations à découpage (SMPS), la commutation rapide et les applications générales.

Spécifications électriques

• Tension Drain-Source (V_DSS) : 500 V
• Tension Drain-Source à T_jmax : 550 V
• Courant de Drain continu (I_D) à T_C=25°C : 18 A
• Courant de Drain continu (I_D) à T_C=100°C : 11 A
• Courant de Drain impulsionnel (I_DM) : 72 A
• Résistance Drain-Source à l’état passant (R_DS(on)) à V_GS=10V, I_D=9.0A : Typ. 0.22 Ω, Max. 0.27 Ω
• Tension de seuil de grille (V_GS(th)) : Min. 3.0 V, Max. 5.0 V
• Tension Grille-Source (V_GS) : ±30 V
• Capacité d’entrée (C_iss) : 2430 pF
• Capacité de sortie (C_oss) : 302 pF
• Capacité de transfert inverse (C_rss) : 10 pF
• Charge totale de grille (Q_g) : 48 nC

Spécifications mécaniques

• Boîtier : TO-220F
• Nombre de broches : 3

Conditions d’utilisation / montage

• Plage de température de jonction et de stockage : -55°C à 150°C
• Résistance thermique Jonction-Ambiance (R_θJA) : 62.5 °C/W
• Résistance thermique Jonction-Boîtier (R_θJC) : 3.4 °C/W
• Dissipation puissance maximale à T_C=25°C : 37 W