Transistor PNP moyenne puissance FZT955, 140V, 4A, SOT223

Présentation

Le FZT955 est un transistor PNP conçu pour des applications de puissance moyenne. Il est adapté à une utilisation dans des environnements industriels et automobiles, bénéficiant d’une qualification aux standards AEC-Q101 pour une haute fiabilité. Sa finition est sans plomb et conforme RoHS.

Spécifications électriques

• Tension collecteur-émetteur (V_CEO) : -140 V
• Tension collecteur-base (V_CBO) : -180 V
• Tension émetteur-base (V_EBO) : -7 V
• Courant collecteur continu (I_C) : -4 A
• Courant de crête (I_CM) : -10 A
• Tension de saturation V_CE(sat) : typiquement -150 mV à I_C = -1A
• Gain en courant statique (h_FE) : spécifié jusqu’à I_C = -10A
• Temps de commutation (t_ON) : 68 ns (typique, conditions de test spécifiques)
• Fréquence de transition (f_T) : 110 MHz (typique)

Spécifications mécaniques

• Boîtier : SOT223
• Matériau du boîtier : Matière plastique moulée, composé de moulage « Vert »
• Indice deflammabilité UL : 94V-0
• Sensibilité à l’humidité : Niveau 1 (J-STD-020)
• Finitions des bornes : Étain mat
• Poids : environ 0,112 grammes

Conditions d’utilisation / montage

• Résistance thermique junction-ambiante (R_θJA) : 42 °C/W (sur carte 52x52mm, cuivre 2oz)
• Résistance thermique junction-ambiante (R_θJA) : 78 °C/W (sur carte 25x25mm, cuivre 1oz)
• Résistance thermique junction-borne (R_θJL) : 8,84 °C/W
• Plage de température de fonctionnement et de stockage : -55 °C à +150 °C
• Dissipation de puissance maximale (P_D) : 2,4 W (à T_A=25°C, selon conditions de montage)