FGH40T65SHD Transistor IGBT 650 V, 40 A

Présentation

Ce composant est un IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de la série FGH40T65SHD. Il intègre un diode de roue libre et utilise une technologie Field Stop Trench de troisième génération. Il est destiné aux applications telles que les onduleurs solaires, les alimentations sans interruption (UPS), les soudeuses, les équipements de télécom, les systèmes de stockage d’énergie (ESS) et les correcteurs de facteur de puissance (PFC).

Spécifications électriques

• Tension collecteur-émetteur (V_CES) : 650 V
• Courant collecteur (I_C) : 40 A à T_C = 100°C
• Tension de saturation collecteur-émetteur (V_CE(sat)) : 1.6 V (Typ.) à I_C = 40 A
• Tension seuil grille-émetteur (V_GE(th)) : 4.0 à 7.5 V
• Charge de grille totale (Q_g) : 72.2 nC (Typ.)
• Température de jonction maximale (T_J) : 175 °C

Spécifications mécaniques

• Boîtier : TO-247