FGH20N60SFDTU IGBT Field Stop 600 V, 20 A TO-247

FGH20N60SFDTU IGBT Field Stop 600 V, 20 A TO-247

5,00 €

IGBT de technologie Field Stop, d’une tension collecteur-émetteur de 600 V et d’un courant collecteur de 20 A, conçu pour des applications nécessitant de faibles pertes de conduction et de commutation.

En stock (peut être commandé)

somdn_product_page
UGS : fgh20n60sfdtu-igbt-field-stop-600-v-20-a-to-247 Catégorie :
On semiconductor

Description

Présentation

Cet IGBT utilise la technologie Field Stop d’ON Semiconductor, offrant des performances optimales pour les chargeurs automobiles, les onduleurs et autres applications où les faibles pertes sont essentielles. Il est disponible en version standard et qualifiée pour l’automobile (AEC-Q101).

Spécifications électriques

  • Tension collecteur-émetteur (Vces) : 600 V
  • Courant collecteur (Ic) : 40 A (à 25°C), 20 A (à 100°C)
  • Tension de saturation Vce(sat) : 2.2 V typique (Ic=20 A, Vge=15 V)
  • Tension de seuil de grille Vge(th) : 4.0 V à 6.5 V
  • Puissance maximale dissipée (Pd) : 165 W (à 25°C)
  • Température de jonction (Tj) : -55°C à +150°C
  • Diode intégrée : Tension directe Vf typique de 1.9 V (à 25°C)

Informations complémentaires

Poids 0,008 kg

Brand

On semiconductor

Avis

Il n’y a pas encore d’avis.

Seuls les clients connectés ayant acheté ce produit ont la possibilité de laisser un avis.

Précédent Suivant