Description
Présentation
Cette famille de transistors NPN en silicium est destinée à des usages généraux, présentant une faible capacité de sortie (Cob).
Spécifications électriques
- Tension collecteur-base (VCBO) : 60 V
- Tension collecteur-émetteur (VCEO) : 50 V
- Tension émetteur-base (VEBO) : 7 V
- Courant collecteur (IC) : 0.15 A
- Puissance dissipée (PC) : 0.2 W (2SC2412K, 2SC4081), 0.15 W (2SC4617, 2SC5658), 0.3 W (2SC1740S)
- Gain en courant continu (hFE) : 120 à 560 (VCE=6V, IC=1mA), classé en catégories (Q:120-270, R:180-390, S:270-560)
- Tension de saturation collecteur-émetteur (VCE(sat)) : 0.4 V max (IC/IB=50mA/5mA)
- Fréquence de transition (fT) : 180 MHz typique (VCE=12V, IE=2mA, f=100MHz)
- Capacité de sortie (Cob) : 2 pF typique, 3.5 pF max (VCE=12V, f=1MHz)
- Température de jonction (Tj) : 150 °C
- Température de stockage (Tstg) : -55 °C à +150 °C
Conditions d’utilisation / montage
- Les caractéristiques électriques sont mesurées à une température ambiante (Ta) de 25°C.

















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