Transistor PNP de puissance 2SA1105 en boîtier TO-3PN

Présentation

Le 2SA1105 est un transistor bipolaire PNP de puissance, encapsulé dans un boîtier TO-3PN. Il est destiné à des applications haute fréquence nécessitant une forte dissipation de puissance, telles que les amplificateurs audio de puissance et les convertisseurs DC-DC.

Spécifications électriques

• Tension collecteur-base (V_CBO) : -120 V (émetteur ouvert)
• Tension collecteur-émetteur (V_CEO) : -120 V (base ouverte)
• Tension émetteur-base (V_EBO) : -6 V (collecteur ouvert)
• Courant collecteur (I_C) : -9 A
• Puissance de dissipation (P_C) : 90 W (à T_C = 25°C)
• Tension de saturation V_CEsat : -1,5 V (typ. à I_C = -3A, I_B = -0,3A)
• Tension de saturation V_BEsat : -1,8 V (typ. à I_C = -3A, I_B = -0,3A)
• Gain en courant continu (h_FE) : 50 à 180 (à I_C = -3A, V_CE = -4V)
• Fréquence de transition (f_T) : 20 MHz (typ. à I_E = 1A, V_CE = -12V)

Spécifications mécaniques

• Boîtier : TO-3PN
• Repérage des broches : 1 (Base), 2 (Collecteur, relié à la base de montage), 3 (Émetteur)

Conditions d’utilisation / montage

• Température de jonction maximale (T_j) : 150 °C
• Température de stockage (T_stg) : -55 °C à 150 °C