Transistor N-MOSFET X2-Class 650V 8A TO-263

Présentation

Ce transistor MOSFET à canal N de type amélioration, de la série X2-Class du fabricant IXYS, est optimisé pour une haute densité de puissance et une faible résistance à l’état passant. Il est fourni dans un boîtier SMD TO-263.

Spécifications électriques

• Tension drain-source (V_DSS) : 650 V
• Courant de drain continu (I_D25) : 8 A
• Courant de drain impulsionnel (I_DM) : 16 A
• Résistance drain-source à l’état passant (R_DS(on)) : 500 mΩ (V_GS = 10V, I_D = 4A)
• Tension de seuil de grille (V_GS(th)) : 3.0 – 5.0 V
• Puissance dissipable (P_D) : 150 W (à T_C = 25°C)

Spécifications mécaniques

• Boîtier : TO-263 (SMD)
• Poids : 1.52 g

Conditions d’utilisation / montage

• Température de jonction (T_J) : -55 °C à +150 °C
• Température de stockage (T_stg) : -55 °C à +150 °C
• Force de montage recommandée (pour TO-263) : 10..65 N