Transistor MOSFET N 800V 4.3A TO-220FP

Présentation

Ce MOSFET de puissance, de la série SuperMESH™ de STMicroelectronics, est optimisé pour offrir une faible résistance à l’état passif (R_DS(on)) et une excellente capacité dv/dt. Il est protégé par des diodes Zener intégrées entre la grille et la source, améliorant sa robustesse aux décharges électrostatiques (ESD) et aux transitoires de tension.

Spécifications électriques

• Tension drain-source (V_DSS) : 800 V
• Courant de drain continu (I_D) à T_C = 25°C : 4,3 A
• Courant de drain continu (I_D) à T_C = 100°C : 2,7 A
• Résistance drain-source à l’état passif (R_DS(on)) : typ. 1,9 Ω (max. 2,4 Ω) à V_GS = 10V, I_D = 2,15 A
• Tension de seuil de grille (V_GS(th)) : 3 V à 4,5 V
• Charge totale de grille (Q_g) : typ. 32,4 nC
• Protection ESD grille-source (HBM) : 3500 V
• Tension de claquage des diodes Zener intégrées (grille-source) : 30 V

Spécifications mécaniques

• Boîtier : TO-220FP (version isolée)
• Poids : 1,7 g
• Résistance thermique junction-boîtier (R_thj-case) : max. 4,2 °C/W
• Dissipation totale à 25°C (P_TOT) : 30 W

Conditions d’utilisation / montage

• Température de jonction de fonctionnement : -55°C à 150°C