IGBT STGP5H60DF – 600V 5A 88W – TO220AB

Présentation

Le STGP5H60DF de STMicroelectronics est un transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de la série H, utilisant une technologie trench gate field-stop. Il offre un compromis optimal entre les pertes en conduction et les pertes en commutation, ce qui le rend adapté aux applications à fréquence de commutation élevée. Son coefficient de température légèrement positif permet un fonctionnement en parallèle plus sûr.

Spécifications électriques

• Tension collecteur-émetteur (VCES) : 600 V
• Courant collecteur continu (IC) à TC = 25 °C : 5 A
• Courant collecteur continu (IC) à TC = 100 °C : 5 A
• Tension de saturation collecteur-émetteur (VCE(sat)) : 1.95 V max (typ. 1.5 V) à IC=5A, VGE=15V
• Tension de seuil de grille (VGE(th)) : 4.8 V à 6.9 V
• Dissipation totale (PTOT) à TC = 25 °C : 88 W
• Diode antiparallèle intégrée : Tension directe (VF) typ. 2.1 V à IF=5A
• Temps de commutation court (td(on) typ. 30 ns, td(off) typ. 140 ns)

Spécifications mécaniques

• Boîtier : TO220AB
• Poids : 1.98 g

Conditions d’utilisation / montage

• Tension grille-émetteur (VGE) : ±20 V max
• Température de jonction de fonctionnement : -55 °C à 175 °C
• Résistance thermique junction-boîtier (RthJC) : 1.7 °C/W
• Conditions de test de commutation : VCE=400V, IC=5A, RG=47Ω, VGE=15V

Applications typiques

• Commande de moteurs
• Alimentations sans interruption (UPS)
• Correcteurs de facteur de puissance (PFC)